近日,電科芯片成功突破高光閾值鈮酸鋰電光相位調(diào)制器關(guān)鍵技術(shù)并形成系列化產(chǎn)品,為高能激光、可控核聚變、引力波探測等提供關(guān)鍵器件支撐。
作為電光信號(hào)轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵“翻譯官”,鈮酸鋰電光相位調(diào)制器通過調(diào)制施加電壓,控制光束通過晶體后的相位變化,從而實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的相位調(diào)制。電科芯片勇探光電子元器件“無人區(qū)”,突破多項(xiàng)關(guān)鍵核心技術(shù),成功研制高光閾值鈮酸鋰電光相位調(diào)制器并形成系列化產(chǎn)品。該產(chǎn)品具備低插入損耗、低半波電壓、高帶寬、高光閾值等特點(diǎn),可用于光纖激光系統(tǒng)中的光譜展寬、光學(xué)相干合成以及相干通信系統(tǒng)中的信號(hào)調(diào)制等方面。
后續(xù),該公司將持續(xù)創(chuàng)新突破,研發(fā)更高頻、小型化、低能耗的鈮酸鋰電光相位調(diào)制器產(chǎn)品,為光電產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)力量。
轉(zhuǎn)自:國資委網(wǎng)站
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