湖北武漢獲批建設(shè)國家信息光電子創(chuàng)新中心

　　近日，工信部正式批復(fù)同意武漢建設(shè)國家信息光電子創(chuàng)新中心。作為“中國制造2025”全國正式授牌的第二批創(chuàng)新中心，同時也是湖北省獲得的第一個國家制造業(yè)創(chuàng)新中心，國家信息光電子創(chuàng)新中心承載著解決我國信息光電子制造業(yè)關(guān)鍵和共性技術(shù)協(xié)同研發(fā)并實現(xiàn)首次商業(yè)化的戰(zhàn)略任務(wù)，將成為推進(jìn)“中國制造2025”在信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)落地、破解我國信息光電子“缺芯少魂”局面、保障國家安全的主體力量。

（圖片來源：互聯(lián)網(wǎng)）

　　據(jù)悉，信息光電子創(chuàng)新中心建立了現(xiàn)代化的企業(yè)法人制度，具備自我可持續(xù)發(fā)展的能力。牽頭單位武漢光迅科技股份公司作為武漢郵電科學(xué)研究院下屬子公司，先后承擔(dān)了863、973、科技支撐計劃等130余項國家級項目，制定了國家和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)100余項。股東單位均為國內(nèi)行業(yè)前三的龍頭企業(yè)，2016年產(chǎn)值總額接近1000億元。參與共建的單位涵蓋了信息光電子領(lǐng)域的優(yōu)勢企業(yè)、研究院所和高校、重要應(yīng)用領(lǐng)域典型用戶等。中心目前共有三個分布區(qū)域，分別為創(chuàng)新中心總部、芯片技術(shù)部、器件技術(shù)部和集成光電部區(qū)域。依托光迅芯片平臺、國重實驗室兩大技術(shù)平臺，創(chuàng)新中心創(chuàng)建了光電芯片工藝平臺和光電集成研發(fā)平臺（硅光平臺、高端器件驗證平臺），形成了從材料生長到芯片后工藝、光子集成、光電集成、高速系統(tǒng)硬件試驗測試的高端工藝和測試技術(shù)平臺。

 

　　此外，創(chuàng)新中心還組建了包括10名院士專家和17名行業(yè)專家的委員會，建立了市場化的項目運(yùn)作和管理、知識產(chǎn)權(quán)歸屬與技術(shù)成果轉(zhuǎn)化機(jī)制，成立以來已經(jīng)實施了硅光技術(shù)轉(zhuǎn)移擴(kuò)散，在III-V族高端光電芯片技術(shù)和工藝以及硅光集成芯片設(shè)計與測試方面、高速光系統(tǒng)設(shè)計和驗證方面擁有強(qiáng)大的創(chuàng)新能力，對信息光電子領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新形成了重大影響。

 

　　創(chuàng)新中心將面向新一代網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心光互聯(lián)、5G及接入、光傳感、國防光電子等信息光電子應(yīng)用領(lǐng)域，在高端材料生長、核心芯片工藝、先進(jìn)封裝集成等方面突破關(guān)鍵技術(shù)和共性技術(shù)瓶頸。用35年建成國際一流的信息光電子制造業(yè)創(chuàng)新平臺，推動核心光電子芯片和器件行業(yè)供給率超過30%，到2025年，實現(xiàn)核心光電子芯片和器件自主可控。（李德浩）

 

　　轉(zhuǎn)自：人民郵電報