我國(guó)集成電路研究取得新突破

據(jù)新華社電 中國(guó)研究人員8日在美國(guó)《科學(xué)》雜志上報(bào)告說，他們?cè)诩呻娐返幕締卧w管研究上取得突破，發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎(chǔ)微電子器件，可讓數(shù)據(jù)擦寫更容易、更迅速，整個(gè)過程都可在低電壓條件下完成，為實(shí)現(xiàn)芯片低功耗運(yùn)行創(chuàng)造了條件。

研究負(fù)責(zé)人、復(fù)旦大學(xué)教授王鵬飛對(duì)新華社記者說：“我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)主要依靠引進(jìn)和吸收國(guó)外成熟的技術(shù)，在微電子核心器件及集成工藝上缺乏核心技術(shù)。半浮柵晶體管作為一種新型的微電子基礎(chǔ)器件，它的成功研制將有助我國(guó)掌握集成電路的核心技術(shù)，從而在芯片設(shè)計(jì)與制造上逐漸獲得更多話語權(quán)?！?

據(jù)王鵬飛介紹，金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是目前集成電路中的主流器件，過去幾十年工藝的進(jìn)步讓MOSFET晶體管的尺寸不斷縮小，越來越接近其物理極限，基于新結(jié)構(gòu)和新原理的晶體管成為當(dāng)前業(yè)界急需。半浮柵晶體管的前瞻研究就是在這種情況下展開。

他說，半浮柵晶體管是在MOSFET晶體管中內(nèi)嵌一個(gè)廣泛用于低功耗電路的裝置——隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TFET）制成。半浮柵晶體管的優(yōu)勢(shì)在于體積可更小，結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單，讀寫速度更快，且一片這樣的晶體管的功效可比得上多塊MOSFET晶體管。

半浮柵晶體管不但能應(yīng)用于存儲(chǔ)器，還可應(yīng)用于主動(dòng)式圖像傳感器芯片（APS），讓新型圖像傳感器單元在面積上能縮小20%以上，并使圖像傳感器的分辨率和靈敏度得到提升。

對(duì)于這項(xiàng)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化前景，王鵬飛說，新型器件往往還需要經(jīng)過深入研究、性能優(yōu)化等大量工作才能逐步實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，目前針對(duì)這個(gè)器件的優(yōu)化和電路設(shè)計(jì)工作已經(jīng)開始。

來源：中國(guó)質(zhì)量報(bào)

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