國產55納米相變存儲芯片發(fā)布

寧波時代全芯科技有限公司日前在寧波現場發(fā)布了自主研發(fā)的55 納米相變存儲芯片。這一成果的發(fā)布，使該公司成為繼韓國三星、美國美光之后，世界上第三家、中國第一家擁有相變存儲技術自主知識產權的企業(yè)，業(yè)內人士認為這將有利于打破存儲器芯片生產技術被國外公司壟斷的局面。

目前靜態(tài)隨機存儲技術、動態(tài)隨機存儲技術和快閃存儲技術應用最為廣泛。近幾年才逐漸步入商品化的最新一代存儲技術——相變存儲技術，由于是利用材料相變產生不同的特性作資料存儲，存儲容量遠遠大于目前的高端硬盤。與現有傳統(tǒng)芯片相比，相變存儲器執(zhí)行速度快1000 倍，耐久性多1 萬倍。與快閃存儲一樣，相變存儲是非揮發(fā)性的，但比快閃存儲更耐用，通?？扉W存儲持續(xù)約為10 萬次讀/寫，而相變存儲的耐用性數千至百萬倍于閃存，其編程速度也比閃存具有數量級的優(yōu)勢，因此，這一新技術被認為會帶來一個顛覆性的存儲新時代。

實際上，相變存儲技術的研發(fā)歷史已經有30 多年，但是直到最近幾年，由于快速結晶材料的發(fā)現才開始邁入商業(yè)化階段。第一批商業(yè)化的相變存儲產品預計在今年內推出，而其主流產品，如替代傳統(tǒng)硬盤的固態(tài)硬盤將于2014 年推出。（據科技日報報道）

來源：中國質量報

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