中國(guó)首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線投產(chǎn)

　　11月9日，英諾賽科(珠海)科技有限公司自主研發(fā)的中國(guó)首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線在珠海正式通線投產(chǎn)。

 

　　氮化鎵又被稱作第三代半導(dǎo)體，是當(dāng)今世界上最具潛力的半導(dǎo)體材料之一，被預(yù)言將會(huì)在不久的未來(lái)改變世界。硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)早在20年前就開始在歐洲和美國(guó)等地發(fā)展，在中國(guó)才剛起步。英諾賽科（珠海）科技有限公司擁有世界領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵外延技術(shù)，突破了低翹曲度、低缺陷及位錯(cuò)密度、低漏電晶圓制造的全球性挑戰(zhàn)，將碎片率大幅降至1%以下。經(jīng)過(guò)兩年的努力，該公司已建成中國(guó)首條完整8英寸硅基氮化鎵外延與芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品包括100V~650V氮化鎵功率器件，設(shè)計(jì)及性能均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，將廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源、電動(dòng)汽車、信息與通信和智能工業(yè)等領(lǐng)域。

 

　　“建設(shè)一個(gè)自主可控、安全的生產(chǎn)體系，這是半導(dǎo)體行業(yè)、信息產(chǎn)業(yè)的責(zé)任。企業(yè)只有建立起自己的研發(fā)體系、人才體系，這樣才能不斷進(jìn)步，不斷領(lǐng)先。”中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)執(zhí)行副理事長(zhǎng)兼秘書長(zhǎng)徐小田表示。多名業(yè)內(nèi)專家在生產(chǎn)線投產(chǎn)后舉行的研討會(huì)上談到，氮化鎵產(chǎn)業(yè)已經(jīng)到了爆發(fā)前夜，在8英寸硅基氮化鎵晶圓產(chǎn)業(yè)化上取得重大突破，為今后該領(lǐng)域的發(fā)展奠定了良好基礎(chǔ)，必將為中國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)“換道超車”作出重要貢獻(xiàn)。珠海高新區(qū)相關(guān)負(fù)責(zé)人高度贊揚(yáng)了英諾賽科公司一年來(lái)的高速成長(zhǎng)及取得的卓越成績(jī)，并勉勵(lì)公司利用國(guó)際領(lǐng)先的核心技術(shù)、抓住機(jī)遇、搶占先機(jī)，解決我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)瓶頸，帶動(dòng)上下游產(chǎn)業(yè)發(fā)展，助力我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和先進(jìn)制造業(yè)的崛起。（崔文）

 

　　轉(zhuǎn)自：中國(guó)工業(yè)報(bào)