武漢新芯宣布取得三維數(shù)據(jù)型閃存技術(shù)重大突破

武漢新芯近日宣布，其正在進(jìn)行的三維數(shù)據(jù)型閃存項(xiàng)目已在研發(fā)上取得重大突破。通過研發(fā)團(tuán)隊(duì)半年時間的努力，第一個具有9層結(jié)構(gòu)的三維存儲器芯片下線，并一次性通過了存儲器基本功能的電學(xué)驗(yàn)證，標(biāo)志著武漢新芯已成為世界少有擁有此項(xiàng)技術(shù)的公司之一，也表示我國集成電路制造業(yè)迎來了新發(fā)展。

三維數(shù)據(jù)型存儲技術(shù)是國際上各大存儲企業(yè)研發(fā)的核心方向。其技術(shù)難度高，目前全球僅有一家公司成功實(shí)現(xiàn)3D-NAND存儲器量產(chǎn)，其他存儲器企業(yè)仍處于研發(fā)階段。三維數(shù)據(jù)型閃存技術(shù)是通過在硅片表面垂直疊加幾十個或更多的電荷存儲層，來提高單顆芯片的存儲密度。現(xiàn)有芯片內(nèi)布置存儲單元大都是平鋪，雖然面積越做越小，但總會遇到極限，而三維技術(shù)如同蓋高樓，同樣的面積下，可以提供更大的數(shù)據(jù)存儲空間。

據(jù)悉，三維數(shù)據(jù)型閃存芯片可廣泛應(yīng)用于手機(jī)、電腦等電子產(chǎn)品，將是固態(tài)硬盤的主要元件。固態(tài)硬盤可用于各種便攜存儲設(shè)備，能隨時存儲任何格式的數(shù)據(jù)文件資料，被譽(yù)為個人的“數(shù)據(jù)移動中心”，具有廣闊的市場前景。

武漢新芯三維數(shù)據(jù)型閃存研發(fā)團(tuán)隊(duì)組建于2014年8月，第一階段開發(fā)9層的三維NAND存儲器原型陣列，于2014年Q4完成了版圖設(shè)計和工藝流程搭建，于2015年5月完成工藝制程開發(fā)及測試驗(yàn)證，首次流片即告成功，在預(yù)計時間節(jié)點(diǎn)完成所有研發(fā)過程。（陳炳欣）

來源：中國電子報

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