中芯推28納米HKMG與聯(lián)芯打造SoC芯片

　　中芯國際集成電路制造有限公司（簡稱“中芯國際）與大唐電信科技產(chǎn)業(yè)集團旗下聯(lián)芯科技有限公司（簡稱“聯(lián)芯科技”）近日共同宣布，中芯國際28納米高介電常數(shù)金屬閘極（HKMG）制程已成功流片，基于此平臺，聯(lián)芯科技推出適用于智能手機等領域的28納米SoC芯片，包括高性能應用處理器和移動基帶功能，目前已通過驗證，準備進入量產(chǎn)階段。

　　中芯國際是中國大陸首家能夠同時提供28納米多晶硅（PolySiON）和HKMG制程的晶圓代工企業(yè)。與傳統(tǒng)的PolySiON制程相比，中芯國際28納米HKMG技術將有效改善驅(qū)動能力，進而提升晶體管的性能，同時大幅降低柵極漏電量?；谥行緡H28納米HKMG制程平臺，聯(lián)芯科技推出的智能手機SoC芯片擁有更高的性能、更快的速度以及更低的功耗，CPU主頻達1.6GHz。延續(xù)聯(lián)芯科技在4G移動通信市場的佳績，該芯片的面世將推動搭載“中國芯”的智能手機進一步擴大市場份額。

　　中芯國際首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云表示：“我們還將持續(xù)進行28納米技術平臺的開發(fā)及改善，預計將在2016年底推出基于HKMG制程的緊湊加強型版本，為客戶提供更多優(yōu)化的制程選擇?！保惐溃?br/>

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