我國(guó)納米領(lǐng)域研究獲世界級(jí)突破 產(chǎn)業(yè)發(fā)展提速

　　美國(guó)《科學(xué)》雜志日前刊登了北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院彭練矛和張志勇課題組在碳納米管電子學(xué)領(lǐng)域取得的世界級(jí)突破：首次制備出5納米柵長(zhǎng)的高性能碳納米晶體管，并證明其性能超越同等尺寸的硅基CMOS互補(bǔ)金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，將晶體管性能推至理論極限。

　　據(jù)科技日?qǐng)?bào)1月24日消息，因主流硅基CMOS技術(shù)面臨尺寸縮減的限制，20多年來(lái)，科學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界一直在探索各種新材料和新原理的晶體管技術(shù)，但沒(méi)有機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)10納米的新型CMOS器件。彭練矛教授表示，他們課題組經(jīng)過(guò)10多年的研究，開(kāi)發(fā)出無(wú)摻雜制備方法，研制的10納米碳納米管頂柵CMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其p型和n型器件在更低工作電壓0.4V下，性能均超過(guò)了目前最好的硅基CMOS?，F(xiàn)在，他們又克服了尺寸縮小的工藝限制，成功開(kāi)發(fā)出5納米柵長(zhǎng)碳納米晶體管。

　　課題組全面比較了碳納米管CMOS器件的優(yōu)勢(shì)和性能潛力。研究表明，與相同柵長(zhǎng)的硅基CMOS器件相比，碳納米管CMOS器件具有10倍左右的速度和動(dòng)態(tài)功耗綜合優(yōu)勢(shì)，以及更好的可縮減性。

　　他們還研究了器件整體尺寸的縮減及其對(duì)器件性能的影響，將碳管器件的接觸電極長(zhǎng)度縮減到25納米，在保證性能的前提下，實(shí)現(xiàn)了整體尺寸為60納米的碳納米晶體管，并且成功演示了整體長(zhǎng)度為240納米的碳管CMOS反相器，這是目前實(shí)現(xiàn)的最小納米反相器電路。

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