第三代半導體核心材料研發(fā)生產能力大幅提升


時間:2011-05-11





從上海硅酸鹽研究所獲悉,日前,20余臺具有自主知識產權的碳化硅晶體生產爐已成功穩(wěn)定生產高質量碳化硅晶體。據碳化硅晶體項目部晶體生長組組長嚴成鋒介紹,自主研制新一代中用晶體爐可以打破發(fā)達國家技術壟斷,大大提升我國第三代半導體核心材料的自主研發(fā)生產能力。在項目部的一間測試實驗室內,項目部薄膜與測試小組組長劉學超說,項目部研制的晶體材料,都需要在這些檢測機器上完成表征測試,并按照國際標準,對晶體質量的表征進行逐項比對,確保每項數據都合格。隨著項目進入關鍵階段,每天的質量測試工作差不多有十幾個小時。

據介紹,當上海硅酸鹽研究所承接國家第三代半導體核心材料碳化硅晶體自主研發(fā)項目時,讓很多從事這一領域的科研人員十分振奮,迅速由兩個相關課題組合并成為一個大項目部,來自上海、福建、河南、湖北、陜西等各個省市的研發(fā)團隊中,70%以上的人都具有博士學位。嚴成鋒表示,現在,該項目部已經掌握了從原料到晶體生長、加工、清洗、檢測直至用戶生產半導體產品的全部技術。

來源:中國質量報



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