首臺(tái)國(guó)產(chǎn)12英寸PECVD設(shè)備誕生

　　本報(bào)訊 沈陽(yáng)拓荊科技有限公司承擔(dān)的國(guó)家重大科技專項(xiàng)項(xiàng)目——90～65納米等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化研制日前獲得成功。這是我國(guó)自主開發(fā)研制的首臺(tái)12英寸PECVD設(shè)備，標(biāo)志著我國(guó)在IC裝備國(guó)產(chǎn)化方面取得了重大突破。

目前，該設(shè)備已完成出廠前的工藝測(cè)試和可靠性測(cè)試，各項(xiàng)性能指標(biāo)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求。據(jù)悉，該設(shè)備還將在我國(guó)最大的芯片代工企業(yè)——中芯國(guó)際進(jìn)行在線測(cè)試。

12英寸PECVD設(shè)備樣機(jī)的順利出廠，標(biāo)志著我國(guó)在集成電路高端設(shè)備研究和制造領(lǐng)域達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平，使我國(guó)IC薄膜設(shè)備制造水平與國(guó)際IC制造業(yè)主流技術(shù)水平保持同步，完善了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體重要裝備的產(chǎn)業(yè)鏈，打破了國(guó)外產(chǎn)品的技術(shù)和市場(chǎng)壟斷。

化學(xué)氣相沉積是反應(yīng)物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)、生成固態(tài)物質(zhì)沉積在加熱的固態(tài)基體表面、進(jìn)而制得固體材料的工藝，常用于制造薄膜如多晶硅、非晶硅、氧化硅等?；瘜W(xué)氣相沉積工藝主要有常壓、低壓、超高真空和等離子增強(qiáng)法等，其中等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。

據(jù)了解，擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的12英寸PECVD設(shè)備樣機(jī)的成功研發(fā)，確立了沈陽(yáng)在全國(guó)集成電路裝備研發(fā)與制造領(lǐng)域同北京、上海三足鼎立的地位，將推動(dòng)遼沈地區(qū)IC裝備制造產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。（沈可心）

來源：中國(guó)化工報(bào)

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