多晶黑硅太陽(yáng)能電池研究方面取得重要突破

　　日前，中科院微電子研究所在多晶黑硅太陽(yáng)能電池研究方面取得重要突破。

　　微電子所微電子設(shè)備研究室研究團(tuán)隊(duì)原創(chuàng)性地提出利用等離子體浸沒(méi)離子注入技術(shù)制備黑硅材料。該團(tuán)隊(duì)利用自行研制的等離子體浸沒(méi)離子注入機(jī)制備了多種微觀結(jié)構(gòu)的黑硅材料，在可見(jiàn)光波段黑硅的平均反射率為0.5%。該工藝適應(yīng)大批量制備，成本低，生產(chǎn)效率高。

　　通過(guò)對(duì)黑硅結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，對(duì)生產(chǎn)線電池配套工藝進(jìn)行改進(jìn)，在全國(guó)產(chǎn)設(shè)備生產(chǎn)線研發(fā)出多晶黑硅太陽(yáng)能電池156mm×156mm，多晶，批量平均效率高達(dá)17.46%。

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