存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。在計(jì)算機(jī)的運(yùn)算過程中，輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都會(huì)保存在存儲(chǔ)器里，可以說存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)發(fā)展的核心部件之一。
存儲(chǔ)器廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)、物聯(lián)網(wǎng)、國家安全等重要領(lǐng)域，是一種重要的、基礎(chǔ)性的產(chǎn)品。
存儲(chǔ)器市場看，DXI指數(shù)本月走勢維持平穩(wěn)，略有小幅度下降，行業(yè)供需情況逐步平穩(wěn)，短期內(nèi)處于下游需求相對(duì)淡季，因此行業(yè)景氣度基本保持平穩(wěn)的大趨勢。
終端、云端應(yīng)用增長爆炸，存儲(chǔ)器銷售額預(yù)計(jì)增長58%，達(dá)1220億美元
據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測與投資戰(zhàn)略規(guī)劃分析報(bào)告》數(shù)據(jù)顯示，2017年市場規(guī)模1840萬臺(tái)。HDD由于容量大、成本低目前仍是云端市場主流，約占80%。中長期來看，隨著3DNAND技術(shù)逐漸成熟，SSD取代HDD速度或?qū)⒓涌?，屆時(shí)對(duì)NANDFlash需求或爆發(fā)，恐再次出現(xiàn)供不應(yīng)求現(xiàn)象。到2017年存儲(chǔ)器市場同比增長58%,銷售額達(dá)1220億美元。
NANDFlash、DRAM為存儲(chǔ)器市場主力軍，NORFlash市場小但機(jī)會(huì)大
按照市場規(guī)?？?，DRAM約占存儲(chǔ)器市場53%，NANDFlash約占存儲(chǔ)器市場42%，二者合計(jì)份額達(dá)95%，為存儲(chǔ)器市場主要構(gòu)成產(chǎn)品。2017年NANDFlash銷售額預(yù)計(jì)年增44%，DRAM銷售額預(yù)計(jì)年增74%，拉動(dòng)作用極其明顯。
NORFlash主要機(jī)會(huì)在于市占率約25%的賽普拉斯、市占率近20%的美光陸續(xù)退出市場，而物聯(lián)網(wǎng)、工控應(yīng)用等市場需求依舊旺盛，對(duì)于現(xiàn)有玩家而言填補(bǔ)市場機(jī)會(huì)巨大。從長期角度來看，NANDFlash仍為未來市場主要方向。2020年NANDFlash市場規(guī)模上看650億美元。
全球存儲(chǔ)器產(chǎn)品結(jié)構(gòu)(按銷售額)
近年來存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的占比穩(wěn)步提升
目前已經(jīng)達(dá)到24%左右，而在集成電路中的比重更是超過了30%，在產(chǎn)業(yè)中占據(jù)極為重要的地位。目前全球存儲(chǔ)器的市場已經(jīng)達(dá)到773億美元，從存儲(chǔ)器的構(gòu)成來看，2016年DRAM的市場規(guī)模超過400億美元，成為存儲(chǔ)器領(lǐng)域第一大產(chǎn)品類型，而NANDFlash受益于智能手機(jī)和SSD的興起，市場規(guī)模也達(dá)到300億美元左右，兩者在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的占比已經(jīng)超過90%。
全球半導(dǎo)體和存儲(chǔ)器(半導(dǎo)體)的市場規(guī)模
NAND存儲(chǔ)器技術(shù)處于變革關(guān)鍵時(shí)間點(diǎn)，未來價(jià)格關(guān)注3D產(chǎn)能情況
NAND存儲(chǔ)器制程轉(zhuǎn)換遭遇瓶頸，采用3D堆疊技術(shù)為主要解決方案。3D產(chǎn)能目前三星投產(chǎn)率、良率最高，其64層3D-NAND三季度已進(jìn)入量產(chǎn)階段，3D產(chǎn)出占投產(chǎn)量達(dá)50%，其他廠商亦在Q3有所放量，到2017Q3全球新增產(chǎn)能超20萬片/月，新增產(chǎn)能對(duì)NANDFlash供應(yīng)緊缺的壓力有所緩解。
同時(shí)，3DNANDFlash存儲(chǔ)密度高，單位容量成本低：據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，3DNAND技術(shù)下每GB成本約0.1美金，較2D結(jié)構(gòu)至少低30%。在48層3DTLC架構(gòu)下，1TBSSD成本已低于2DTLC架構(gòu)，3DNAND較2DNAND更為經(jīng)濟(jì)。
另一方面，NANDFlash下游需求增長空間仍大：智能手機(jī)及SSD滲透率提升仍構(gòu)成NANDFlash的巨大需求。供給產(chǎn)能的緩解與需求空間的提升對(duì)NANDFlash價(jià)格構(gòu)成相反影響，未來價(jià)格變化依舊有待觀察。
2017年NANDFlash主要廠商產(chǎn)量(單位：萬片)
DRAM價(jià)格繼續(xù)走強(qiáng)，維持上漲態(tài)勢
DRAM價(jià)格于2017Q2有所回調(diào)，2017Q3后則繼續(xù)維持，2016年以來漲勢，2017年初至10月，DDR34G1600MHz價(jià)格上漲25%左右。拉動(dòng)DRAM價(jià)格上漲原因主要有：
(1)需求端來看，終端云端需求不減：終端智能手機(jī)內(nèi)存容量升級(jí)，云端服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心的強(qiáng)勁需求均拉動(dòng)DRAM需求的增長。
(2)供給端來看，DRAM廠產(chǎn)能增加有限：三大DRAM廠(三星、海力士、美光)產(chǎn)能增加空間已相當(dāng)有限，接近滿載，從產(chǎn)能規(guī)劃來看，2018年新增投片量僅約5-7%，源于現(xiàn)有工廠產(chǎn)能的重新規(guī)劃，資本支出傾向于保守，僅SK海力士決議在無錫興建新廠，最快產(chǎn)能開出時(shí)間落在2019年。需求供給兩側(cè)來看，預(yù)計(jì)2018年DRAM價(jià)格仍將維持上漲態(tài)勢。
DRAM價(jià)格(單位：美元)
據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，目前中國市場所消耗的DRAM量超過全球20%，而NAND的數(shù)據(jù)更是驚人，2017年占全球30%以上，而到了2020年該占比將超過40%。而與此形成鮮明對(duì)比的是：在存儲(chǔ)器領(lǐng)域，中國幾乎完全依賴于進(jìn)口，存儲(chǔ)器已經(jīng)成為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受外部制約最嚴(yán)重的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一，存儲(chǔ)器國產(chǎn)化也成為了我國半導(dǎo)體發(fā)展大戰(zhàn)略中的重要一步。
數(shù)據(jù)來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院整理
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