半導體照明進入發(fā)展上升期 對低碳經(jīng)濟有重要貢獻


時間:2010-11-29





隨著全球步入“后危機”時代,尋找并培育新的經(jīng)濟增長點,發(fā)展戰(zhàn)略性的新興產(chǎn)業(yè),成為新時期世界各國搶占新一輪戰(zhàn)略制高點的最重要手段。對于中國來說,發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),不僅是我們立足當前、應對危機的權宜之計,更是面向未來、著眼長遠的重大戰(zhàn)略抉擇。半導體照明 是為數(shù)不多的逐漸地掌握了關鍵核心技術,具有市場需求前景,具備資源能耗低、帶動系數(shù)大、就業(yè)機會多、綜合效益好等特征的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。它不僅僅帶來了照明 史上繼白熾燈、熒光燈之后的又一場照明光源的革命,而且是節(jié)能減排的重要途徑,對發(fā)展低碳經(jīng)濟將發(fā)揮更加重要的作用。

一、半導體照明對節(jié)能減排、低碳經(jīng)濟有重要貢獻

目前,LED 光效已經(jīng)高于傳統(tǒng)的照明與顯示光源,顯現(xiàn)出了優(yōu)越的節(jié)能效果,如交通信號、景觀照明等特殊照明領域的節(jié)能效果達到80%以上;與傳統(tǒng)燈具相比,功能性照明,如LED道路照明可節(jié)電30%以上,隧道照明可節(jié)電40%,LED室內(nèi)筒燈、射燈 等照明產(chǎn)品替代傳統(tǒng)鹵素燈、熒光燈可節(jié)能30%~50%.2009年以來,在“十城萬盞”試點示范應用工程(以下簡稱“十城萬盞”)的拉動下,國內(nèi)技術進步速度明顯加快。目前國產(chǎn)功率型LED芯片已在部分支干道路照明和室內(nèi)筒燈、射燈照明上得到應用。通過光學設計、散熱、驅(qū)動等技術集成,室內(nèi)外功能性照明燈具 光效已超過80lm/W.根據(jù)21個試點城市的初步統(tǒng)計,截至目前,已有50萬盞以上路燈、隧道燈、太陽能LED路燈、LED日光燈、筒燈、射燈、舞臺燈等產(chǎn)品得到示范應用,年節(jié)電1億千瓦時以上。此外,在奧運示范工程的帶動下,上海世博會、廣州亞運會除將大量使用LED景觀照明外,部分道路與室內(nèi)照明也將示范應用半導體照明產(chǎn)品。

據(jù)測算,光效75lm/W的LED燈具全壽命周期能耗(240千瓦時)已遠低于白熾燈(1505千瓦時),也低于緊湊型熒光燈(327千瓦時),已具備資源能耗低的特點。同時,LED沒有熒光燈、節(jié)能燈以及現(xiàn)有液晶電視、液晶顯示器背光源用的冷陰極管(CCFL)含汞的問題,可以大幅度減少廢舊燈具的環(huán)境污染,而且LED燈具采用低壓直流供電,沒有紅外、紫外輻射,是真正綠色、健康的照明光源。

2009年我國發(fā)電總量36506億千瓦時,照明用電約4300億千瓦時,占電力總消耗的12%,占能源消耗的5.9%,且每年以5%~10%速度增長。據(jù)我國專家預測,2015年,照明用電將達到6000億千瓦時(年增幅3%~5%),LED燈具的光效可達到120lm/W,LED照明占有20%以上的照明市場,每年將節(jié)約用電1000億千瓦時,可減少CO2、SO2、NOx、粉塵排放1.5億噸,可少建設100萬千瓦電站21座,減少30%的新增電站(2015年預計需新增100萬千瓦電站約63座)。預計2020年,照明用電將達到7200億千瓦時,LED燈具的發(fā)光效率將達到150lm/W,進入50%照明市場,可年節(jié)電3400億千瓦時,可少建設100萬千瓦電站73座,通過照明節(jié)電我國不需要再新增電站。

二、我國半導體照明產(chǎn)業(yè)已進入快速發(fā)展的上升期

自2003年啟動半導體照明工程后,科技部在科技攻關計劃、863計劃新材料領域中先后支持了半導體照明的技術創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化,我國半導體照明產(chǎn)業(yè)和技術取得顯著進步,初步形成了從上游材料、中游芯片制備、下游器件封裝及集成應用的比較完整的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)體系,進入快速發(fā)展階段。

1、產(chǎn)業(yè)化關鍵技術取得較大突破。以企業(yè)為主體的LED 制造技術進展較快,企業(yè)產(chǎn)業(yè)化線上完成的功率型芯片封裝后光效達到80~100lm/W.功率型白光LED封裝達到國際先進水平。具有自主知識產(chǎn)權的功率型硅襯底LED芯片封裝后光效達到78lm/W,處于國際先進水平。

2、產(chǎn)業(yè)初具規(guī)模,產(chǎn)業(yè)鏈日趨完整,市場應用走在國際前列。到2009年底,我國共有LED企業(yè)3000余家。其中,上游的外延及芯片生產(chǎn)商超過40家,中游封裝企業(yè)約有1000家,下游應用產(chǎn)品生產(chǎn)企業(yè)2000家。民營企業(yè)占到企業(yè)總數(shù)的85%.2009年,我國芯片產(chǎn)值增長25%,達到23億元,與2008年的26%的增速基本持平。2009年,我國LED封裝產(chǎn)值達到204億元,較2008年的185億元增長10%;產(chǎn)量則由2008年的940億只增加10%,達到1056億只,其中高亮LED產(chǎn)值達到186億元,占LED總銷售額的90%.同時從產(chǎn)品和企業(yè)結構來看國內(nèi)也有較大改善,SMD和大功率LED封裝增長較快。2009年,我國半導體照明 應用產(chǎn)值達到600億元。盡管面對金融危機,我國半導體照明 產(chǎn)業(yè)2009年仍呈現(xiàn)逆勢上揚的發(fā)展趨勢,產(chǎn)業(yè)規(guī)模增加到827億元,增加近20%,預計2010年將達到1000億元。

3、產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境日趨完善。從科技部2003年啟動半導體照明工程和2009年開展“十城萬盞”工程,到近期發(fā)改委等六部委聯(lián)合出臺產(chǎn)業(yè)發(fā)展指導意見,以及后危機時代國家提出的培育戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),都表明政府正在積極推動我國半導體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在政府政策的引導和扶持下,隨著器件性能的提高和節(jié)能效果的體現(xiàn),我國半導體照明產(chǎn)業(yè)將進入快速發(fā)展的上升期,市場潛力巨大,將驅(qū)動產(chǎn)業(yè)升級。為了促進技術集成創(chuàng)新,加速成果產(chǎn)業(yè)化,加強產(chǎn)學研合作,國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(以下簡稱聯(lián)盟)通過建立產(chǎn)業(yè)研發(fā)基金、組織奧運重大示范工程、舉辦創(chuàng)新大賽、標準協(xié)調(diào)推進、建立專利池等工作,搭建了產(chǎn)學研合作平臺,提高了技術創(chuàng)新的效率與水平,促進了重大項目的實施。聯(lián)盟標準協(xié)調(diào)推進工作成效顯著,8項國家標準和9項行業(yè)標準已正式發(fā)布,為支撐“十城萬盞”試點工作,聯(lián)盟目前已完成LED道路照明產(chǎn)品、隧道燈、以及道路和隧道照明產(chǎn)品監(jiān)督檢驗及安裝驗收實施細則、寒地LED道路照明產(chǎn)品技術規(guī)范等5項推薦性技術規(guī)范,同時正在編制室內(nèi)筒燈、射燈 技術規(guī)范等。另外,聯(lián)盟已聯(lián)合國家級檢測機構,定期發(fā)布產(chǎn)品檢測數(shù)據(jù),為地方合理地設定示范應用產(chǎn)品的性能指標提供了科學參考,并正在為下一步發(fā)布向地方推薦的、有節(jié)能效果的定型產(chǎn)品的目錄做前期工作。聯(lián)盟還通過技術標準化、標準專利化工作,研究制定國家半導體照明專利戰(zhàn)略,研究部署專利網(wǎng)絡,探索專利池運行方式,為相關部門提供決策支撐。聯(lián)盟的工作拓展了國內(nèi)半導體照明發(fā)展視野,引起了國際社會的高度關注,對國內(nèi)產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生了重要影響。

通過國家半導體照明工程的實施,我國半導體照明產(chǎn)業(yè)已經(jīng)在國際上確立了重要的地位,特別是“十城萬盞”所展示的“通過應用促進科技創(chuàng)新、發(fā)揮科技支撐經(jīng)濟發(fā)展的作用、促進節(jié)能減排工作”的理念,在國內(nèi)外都產(chǎn)生了巨大而深遠的影響。另外,我國是半導體照明關鍵原材料資源大國,能夠保障產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。半導體照明產(chǎn)業(yè)投資強度與風險遠低于微電子產(chǎn)業(yè),具有技術勞動雙密集型的特點,適合中國國情,能夠大規(guī)模帶動就業(yè)。

來源:中國建材第一網(wǎng)



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